基于砷化镓基底的器件材料外延工艺及技术研究

一、项目名称：（略）
二、（略）：WD（略）
三、采购内容：
开展基于砷化镓基底的器件材料外延工艺及技术研究；
交付砷化镓半导体器件10片，及其电学性能报告1份。
详细技术要求：
（1）基于现有的材料和基本工艺进行外延工艺，分析不同工艺方法对于砷化镓材料器件外延的优劣；
（2）确定工艺方法，建立基于砷化镓材料的外延工艺流程，筛选对外延质量有影响的各个外延参数；
（3）开展多批次的针对外延后的砷化镓的结构性能测试，建立外延参数——器件结构参数之间的量化关系；
（4）得到符合项目组要求的砷化镓半导体器件10片，面积大于5mm×5mm，外延层厚度大于10um，出具完整的电学性能报告；
（5）器件关键性能指标包括：耐压gt;50V，30V偏压下漏电流小于1uA、发光波长700~800nm、对直流X射线响应正常。
四、投标人资格条件
1、具有独立承担民事责任的能力；
2、具有良好的商业信誉和健全的财务会计制度；
3、具有履行合同所必需的设备和专业技术能力；
4、有依法缴纳税收和社会保障资金的良好记录
5、参加政府采购活动前3年内，在经营活动中没有重大违法记录；
6、供应商成立时间不少于2年，且为非外资独资或外资控股企业；
7、单位：（略）
五、拟单一来源采购供应商：中山大学
六、申请理由：
本项目于2024年3月15（略）发布竞争性谈判公告，截止资格证明文件递交截止时间2024年3月27日，只有中山大学一家供应商提交资格证明材料，潜在供应商不足两家，不满足谈判条件，一次采购失败；2024年4月10（略）再次发布竞争性谈判公告，截止资格证明文件递交截止时间2024年4月25日，无供应商递交资格证明文件，二次采购失败。两次发布仅有一家供应商响应本项目，现拟通过单一来源方式：（略）
七、公示期限：公示期为本公示发布之日起5个工作日。
八、供应商对该项目拟采用单一来源采购方式：（略）
九、联系方式：（略）
9.1.项目组
联系人：（略）
电话：（略）
9.2.监督投诉电话：（略）
地址：（略）
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