上海临港化合物半导体4吋及6吋量产线项目二期项目

（略）建设工程监理招标评标结果（中标候选人）公示
（略）：20LGPD0114（略）：F02
招标人：（略）
招标代理：（略）
联系人：（略）
联系人：（略）
招标方式：（略）
招标标段名称：（略）
招投标情况（共10个投标人）
投标人中标候选人排序总监姓名否决投标/入围情况投标报价（万元）
（略）第一中标候选人朱瑞瑾否308
（略）第二中标候选人陈真勇否227.9
（略）范福海否241
（略）江松涛否297
（略）代先群否316
（略）李卫民否318
（略）韩延所否240
（略）张淑兰否299.8549
（略）金文否230.02
（略）李军否232
公示期限：（略）至（略）
备注：招标人：（略）
投标人或者其他利害关系人对依法进行招标招标的项目评标结果有异议的
，应当以书面署名形式在“中标候选人公示”期间，向招标人：（略）
发布人：（略）
发布日期：2024年04月08日
评标结果（中标候选人）公示详情信息
一、投标文件被否决的投标人名称：（略）
（略）投标人名称：（略）
无否决投标
依据（略）投标人与投标报名的申请人在名称：（略）
二、评标委员会对投标报价给予修正的结果
（略）投标人名称：（略）
无修正说明
评标委员会评分结果
（略）投标人名称：（略）
（略）（略）
（略）（略）
三、中标候选人项目业绩及拟担任总监理工程师
（略）拟担任总监理工程师（朱瑞瑾)类似业绩
（略）项目名称：（略）
（略）89798海康威视智能安检产品产业化基地项目房建（略）新增地上建筑面积146654.67㎡。新增地下建筑面积32433.03㎡。工程投资额55161万元。生产规模40万台/年。（略）（备注：项目总监变更日期为2022年12月5日）（略）611101X
（略）45454精密电子及电子元器件先进工艺装备产业化生产厂房改造工程房建四川省建筑面积为50514.20㎡（其中，一期1#生产厂房：36113㎡）。投资额约5960万元。（略）
（略）50102（略）工程房建（略）总投资11485万元，总建筑面积20610平方米（略）—（略）
（略）70001真（略）B04A-01地块新建项目房建（略）总建筑面积约67768平方米（略）
（略）80201（略）（（略）以西—（略））道路及桥梁（略），全线敷设雨污水管（略）
（略）09901法院羁押室及法院内部修缮工程其他（略）修缮面积453.60平方米（略）
（略）19901上海中医药大学张（略）1056.77平方米（略）
（略）79901市公安局2016年办公用房维修项目其他（略）总投资2490万元（略）
（略）（略）年度上海大学嘉（略）基础修缮项目其他（略）修缮面积8413.67平方米（略）
（略）（略）年度上海大学宝（略）基础修缮其他（略）修缮面积（略）
（略）60018上海大学嘉（略）维修工程其他（略）总投资222万元（略）
（略）项目业绩
（略）项目名称：（略）
（略）80004半导体先进工艺装备研发与产业化项目厂房类建筑面积90701平方米。（略）（略）-10-19至（略）
（略）40001中微临港总部和研发基地项目厂房类总建筑面积110000平方米。（略）（略）-3-1至今
（略）80101（略）制造（天津）（略）2021TJFab7-P3项目厂务PCS系统第三方监理工程厂房类建筑面积239000平方米。（略）（略）-2-9至（略）
（略）50001储能电池超级工厂和新能源电池研究院一期项目厂房类一标段建筑面积77095.6平方米，二标段建筑面积104337.45平方米。（略）（略）-7-30至（略）
（略）80010金（略）WH7-3金谷通用厂房项目厂房类占地面积约113421平方米,项目总建筑面积约292318平方米。2023-06-（略）至（略）
（略）10001泰坦宜昌高端科研试剂研发生产基地项目厂房类建设35000吨/年试剂分装，2000吨/年试剂复配，5000吨/年精馏试剂，14.2吨/年医药中间体，200吨/年生物培养基地。（略）（略）-10-18至（略）
（略）70001士卓曼(上海)（略）高端种植体产业化项目厂房类总建筑面积（略）平方米。（略）（略）-3-1至2023-9-1
（略）10001高端科研试剂研发生产基地项目厂房类建设35000吨／年试剂分装，2000吨／年试剂复配，5000吨／年精馏试剂，142吨／年医药中间体，200吨／年生物培养基，产值12500万元／年实验室耗材生产基地（略）（略）-10-18至（略）
（略）拟担任总监理工程师（陈真勇)类似业绩
（略）项目名称：（略）
W（略）33数字江海一期02A-04地块新建厂房项目房屋建筑工程（略）建筑面积96930.05平方米（略）至（略）（略）32015
/吉光半导体（绍兴）（略）新能源功率模组大规模产业化项目，任总监代表房屋建筑工程（略）建筑面积116553平方米（略）至（略）（略）32015
/年产8千万只电力电子器件厂房建设（一期），任总监代表房屋建筑工程（略）建筑面积4080平方米（略）至（略）（略）32015
（略）00005秀山华信凤凰华庭建设工程房屋建筑工程（略）建筑面积30769.45平方米（略）至（略）（略）32015
（略）巫山综合应急救援大队项目房屋建筑工程（略）工程造价2960万元（略）至（略）（略）32015
（略）项目业绩
（略）项目名称：（略）
W（略）72上海临港化合物半导体4吋及6吋量产线项目施工监理房屋建筑工程建筑面积59118平方米，主要建构筑物包括：FAB1生产厂房1、CUB1动力站1、PMD（略）、LAB1（略）1等（略）9.（略）至（略）
（略）90003华虹半导体制造（无锡）（略）华虹制造（无锡）项目房屋建筑工程总建筑面积约为527,000平方米。新建生产厂房、动力设施，生产和生活配套设施，新增工艺设备、量测和辅助设备、（略），（略），建设一条工艺等级65/55-40nm、月产能达到8.3万片的12英寸特色工艺生产线。（略）（略）至（略）
W（略）12英寸先进生产线建设项目房屋建筑工程建筑面积456685平方米,主要涵盖FAB生产厂房（含30000平方米洁净厂房）（略）（略）至（略）
W（略）22中芯国际12英寸芯片SN1和SN2厂房建设项目建设工程房屋建筑工程建筑面积533000平方米（略）59.（略）至（略）
W（略）12（略）研发制造用厂房及配套设施项目房屋建筑工程总建筑面积203006平方米（略）（略）至（略）
W（略）特色工艺生产线建设项目监理房屋建筑工程建筑面积310337平方米,包括P1危险品库、W1废水处理站、H1化学品库、S1固废站、K1硅烷站、B1空压站、J1氢气棚、V1变电站、门卫、L1连廊、F1芯片生产厂房、C1动力厂房、M1生产调度及研发厂房等（略）1.（略）至（略）
/（略）年产10万片12英吋相变存储器芯片项目房屋建筑工程建筑面积60000平方米（略）（略）至（略）
W（略）73格科半导体12英寸CIS（略）特色工艺研发与产业化项目房屋建筑工程建筑面积121437平方米（略）（略）至（略）
（略）70002（略）制造（济南）（略）12（略）制造项目房屋建筑工程建筑面积410000平方米（略）4.（略）-06-01至（略）
（略）10018润鹏半导体12（略）生产线项目监理房屋建筑工程总建筑面积237300平方米，其中洁净厂房面积：30000平方米。（略）建设，（略），（略），危险品库，变电站，（略），大宗特气站等主要建筑及配套。（略）（略）至（略）
W（略）59华虹宏力FAB2一期配套建设项目房屋建筑工程总建筑面积为78302.11平方米，包含生产厂房、（略）、（略）、生活垃圾房和一般固废堆场（略）配套用房。（略）（略）至（略）
W（略）临港重装备（略）F16-01地块项目房屋建筑工程建筑面积200556平方米（略）（略）至（略）
W（略）81上海传芯半导体掩模基版研发与产业化项目房屋建筑工程建筑面积56000平方米（略）（略）至（略）
/中芯绍兴电子信息配套产业园项目房屋建筑工程建筑面积227537平方米（略）（略）至（略）
（略）60002中芯绍兴MEMS和功率器件芯片制造及封装测试生产基地项目EPC总承包工程监理房屋建筑工程总建筑面积约145335平方米（略）1.（略）-05-18至（略）
（略）半导体大硅片（200mm、300mm）项目房屋建筑工程建筑面积210000平方米（略）（略）至（略）
W（略）33数字江海一期02A-04地块新建厂房项目房屋建筑工程建筑面积96930.05平方米（略）（略）至（略）
（略）30001芯卓半导体产业化建设项目房屋建筑工程建筑面积138400平方米（略）（略）至（略）
W（略）40中晟光电研发和生产基地建设项目房屋建筑工程建筑面积21180.73平方米。（略）.（略）至（略）
/（略）新建研发生产基地及年产1000万套精密微纳光学器件生产线项目一期一阶段监理项目房屋建筑工程建筑面积110000平方米（略）（略）至（略）
W（略）项目房屋建筑工程建筑面积8008平方米（略）（略）至（略）
/（略）（绍兴）（略）300mm（略）中道先进封装生产线项目监理房屋建筑工程总建筑面积约176542平米（略）9.（略）-06-03至（略）
（略）新建年产3400百万颗高端封测产品项目(装修项目)房屋建筑工程3.93万平方米洁净厂房；新建年产3400百万颗高端封测产品；完成两栋洁净厂房的改造、连廊、甲类库（略）（略）至（略）
/格科微电子（浙江）（略）新建年产12亿颗CMOS图像传感器芯片、年磨切重整72万片晶圆、年封装6亿个模组项目及OCF特色工艺研发与产业化项目房屋建筑工程包括：土建、（略）、（略）（（略）、（略）及FMCS系统）、（略）、（略）、（略）、（略）、（略）。（略）2.（略）-12-15至（略）
/（略）8英寸功率器件特色半导体工艺研发及产业化一期改造项目工程监理房屋建筑工程本工程拟新建（含扩建）建筑面积17,180.33平方米，（略），新建乙类化学品库、硅烷站、大宗气站等；改造建筑面积约36,598.02平方米,包括一期范围内的厂房1、（略）1、甲类化学品库等。（略）（略）至（略）
/（略）新建年产1万片6吋硅基晶圆项目房屋建筑工程总建筑面积13836平方米（略）（略）至（略）
/海科（嘉兴）（略）年产8千万只电力电子器件厂房建设（一期）房屋建筑工程（略）洁净等级：3700平方米（略）（略）至（略）
/冠石科技光掩膜版制造项目房屋建筑工程总用地面积45940平方米,建设有生产厂房、（略）、甲类库、消防水池、泵房及配套门卫等工程，主厂房建筑高度约20米。（略）（略）至（略）
W（略）气体纯化设备研发生产项目房屋建筑工程建筑面积44180.99平方米，包括新建1#（略）、2#3#4#（略）、5#（略）及厂房交通廊等。（略）0.（略）-01-02至（略）
/吉光半导体（绍兴）（略）新能源功率模组大规模产业化项目房屋建筑工程新建电子信息类生产模组厂房和配套建筑、建筑面积116553平方米，包括A3模组生产厂房（4F建筑，包含原材料仓库及成品仓库）、E4（略）（6F）、C3动力厂房2（3F）、门卫6、门卫7、液氮（略）域、E4至A3连廊、C3至A3/E4管廊、总排口仪表站房、非机动车棚等等。（略）9.（略）至（略）
（略）二期工厂建设项目房屋建筑工程建筑面积29290.85平方米（略）（略）至（略）
W（略）41中航凯迈（上海）（略）新一代化合物半导体研制基地项目房屋建筑工程总建筑面积57809.21平方米，其中：地上面积54774.86平方米，地下面积3034.35平方米。建成之后，形成年产10000套焦平面探测器的能力。（略）6.（略）至（略）
/（略）电子元器件扩产项目房屋建筑工程建筑面积约19万平方米（包含生产厂房约7万㎡、（略）、生活（略）外配套等。（略）0.（略）至（略）
（略）40001显鋆一期晶圆测试线和晶圆重构生产线项目房屋建筑工程工程全部的土建工程、（略）以及满足一阶段生产要求（12寸晶圆测试2万片/月）（略）的范围；总建筑面积约32546.82平米（略）（略）至（略）