为便于供应商及时了解政府采购信息,根据《财政部关于开展政府采购意向公开工作的通知》(财库〔2020〕10号)等有关规定,现将本单位:
(略)
(略)采购项目名称:
(略)
1干法释放设备标的名称:
(略)
标的数量:1
主要功能或目标:气相刻蚀是一种干法释放的微电子制造刻蚀技术,这种刻蚀工艺是完全干燥的,消除了传统湿法刻蚀过程中的粘附问题。①使用HF气体进行SiO2刻蚀,SiO2表面与HF反应生成SiF4分子。这种工艺主要用来对SiO2的同向性刻蚀。②使用XeF2气体进行Si刻蚀,Si表面与XeF2反应生成SiF4分子,这种工艺主要用来对Si的各向同性刻蚀。
需满足的要求:①HF释放工艺要求:释放良率:MEMS结构需100%无黏附干法释放;刻蚀速率:悬臂结构刻蚀速率>0.3μm/min;空白暴露SiO2刻蚀>0.1μm/min;片内均匀性:≤5%1(悬臂结构:Si/SiO2复合薄膜;空白暴露SiO2:硅衬底Si/SiO2复合薄膜);②XeF2释放工艺要求:释放良率:MEMS结构需100%无黏附干法释放;刻蚀速率:悬臂刻蚀>3μm/min;
落实国家关项目于节能产品、环保标志产品、促进中小企业发展、残疾人福利性单位:
(略)
2磁控溅射设备(三腔室)标的名称:
(略)
标的数量:1
主要功能或目标:磁控溅射是一种常用的物理气相沉积(PVD)的方法,可在低沉积温度下,实现快速薄膜沉积,所沉积的薄膜具有均匀性好、成分接近靶材成分等众多优点。主要用于溅射金属靶材、合金材料靶材、介质靶材;可用于反应溅射。
需满足的要求:适用8英寸及以下尺寸晶圆;极限真空≤2E-5Pa;抽气速率:工艺腔从大气抽到5E-4Pa的时间≤30分钟;真空漏率≤6E-3Pa.L/s;最高加热温度≥500℃;工件盘最高转速≥20转/min,转速连续可调;镀膜均匀性:优于±3%(直径8英寸范围内);批次间重复性:优于±2%;靶枪:每个溅射工艺腔室配置的数量≥4个;增强磁场靶枪:其中一个溅射工艺腔室配置数量≥2个。
落实国家关项目于节能产品、环保标志产品、促进中小企业发展、残疾人福利性单位:
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本次公开的采购意向是本单位:
(略)
广东中科半导体微纳制造技术研究院
2024年05月13日
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