中微半导体南昌高新区MO研发红黄光改扩建项目

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项目名称：（略）
建设项目（略）域高新（略）
建设地点：（略）
详细地（略）
项目总投资5960万元
建设规模及内容为探究GaAs基新材料在腔体中的生长机理，研发国产的GaAs基MOCVD设备，其性能达到国际先进水平，巩固中微MOCVD设（略）场地位，（略）在这一领域的垄断地位，拟投资MO研发红黄光项目5960万元，改扩建400平（略）并购买MOCVD机台3台，Unico机台1台、真空包装机2台、通风柜1台、氮气柜3台、scrubber机台4台、烘箱1台，清洗柜2台、吸附塔2套。|&|&|本项目为探究出GaAs基新材料在腔体中的生长机理，研发成功后有利于填补国内该领域内的技术空白，实现量产，（略）的产品结构。
（略）
开工时间2024年03月
竣工时间2024年07月
项目类型备案类
备案状态已备案